产品信息

特点

• ●可在紫外和可见（250至800nm）波长区域中测量椭圆参数

• ●可分析纳米级多层薄膜的厚度

• ●可以通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱

• ●通过可变反射角测量，可详细分析薄膜

• ●通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能，增强操作便利性

• ●通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量

测量项目

• 测量椭圆参数（TANψ，COSΔ）

• 光学常数（n：折射率，k：消光系数）分析

• 薄膜厚度分析

用途

• 半导体晶圆
  栅氧化膜，氮化膜
  SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
  光学常数（波长色散）

• 复合半导体
  AlxGa（1-x）多层膜、非晶硅

• FPD
  取向膜
  等离子显示器用ITO、MgO等

• 各种新材料
  DLC（类金刚石碳）、超导薄膜、磁头薄膜

• 光学薄膜
  TiO2，SiO2多层膜、防反射膜、反射膜

• 光刻领域
  g线（436nm）、h线（405nm）、i线（365nm）和KrF（248nm）等波长的n、k评估

• 原理

•  包括s波和p波的线性偏振光入射到样品上，对于反射光的椭圆偏振光进行测量。s波和p波的位相和振幅独立变化，可以得出比线性偏振光中两种偏光的变换参数，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
  

• 产品规格

• 型号	FE-5000S	FE-5000
  测量样品	反射测量样品
  样品尺寸	100x100毫米	200x200毫米
  测量方法	旋转分析仪方法*1
  测量膜厚范围（ND）	0.1纳米-
  入射（反射）的角度范围	45至90°	45至90°
  入射（反射）的角度驱动方式	自动标志杆驱动方法
  入射点直径*2	关于φ2.0	关于φ1.2sup*3
  tanψ测量精度	±0.01以下
  cosΔ测量精度	±0.01以下
  薄膜厚度的可重复性	0.01％以下*4
  测定波长范围*5	300至800纳米	250至800纳米
  光谱检测器	多色仪（PDA，CCD）
  测量用光源	高稳定性氙灯*6
  平台驱动方式	手动	手动/自动
  装载机兼容	不可	可
  尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm      约50公斤	1300（W）×900（D）×1750（H）mm      约350公斤*7
  软件
  分析	最小二乘薄膜分析（折射率模型函数，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等）      理论方程分析（体表面nk分析，角度依赖同时分析）

• *1可以驱动偏振器，可以分离不感带有效的位相板。
  *2取决于短轴?角度。
  *3对应微小点（可选）
  *4它是使用VLSI标准SiO2膜（100nm）时的值。
  *5可以在此波长范围内进行选择。
  *6光源因测量波长而异。
  *7选择自动平台时的值。